隨著LED產(chǎn)量的增加，LED制造商正在尋找可以優(yōu)化劃片寬度、劃片速度與加工產(chǎn)量的新工藝進展。新型LED光纖激光打標(biāo)機剝離（LLO）和聚廣恒光纖激光打標(biāo)機晶圓劃片設(shè)備給LED制造商提供了性價比的工業(yè)工具，可以足日益增長的市場需求。
高亮度垂直結(jié)構(gòu)LED 通常情況下，藍(lán)光/綠光LED是由幾微米厚的氮化鎵（GaN）薄膜在藍(lán)寶石襯底上外延生長形成的。 一些LED的制造成本主要取決于藍(lán)寶石襯底本身的成本和劃片-裂片加工成本。對于傳統(tǒng)的LED倒裝橫向結(jié)構(gòu)，藍(lán)寶石是不會被剝離的，因此，陰和陽都在同一側(cè)的氮化鎵外延層（epi）。 這種橫向結(jié)構(gòu)對于高亮度LED有幾個缺點：材料內(nèi)電流密度大、電流擁擠、可靠性較差、壽命較短；此外，通過藍(lán)寶石的光損很大。
設(shè)計人員通過聚廣恒光纖激光打標(biāo)機剝離（LLO）工藝可以實現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)的LED，它克服了傳統(tǒng)的橫向結(jié)構(gòu)的多種缺陷。垂直結(jié)構(gòu)LED可以提供大的電流，除電流擁擠問題以及器件內(nèi)的瓶頸問題，顯著提LED的大輸出光功率與大效率。
垂直LED結(jié)構(gòu)要求在加電之前剝離掉藍(lán)寶石。準(zhǔn)分子聚廣恒光纖激光打標(biāo)機器已被證明是分離藍(lán)寶石與氮化鎵薄膜的效工具。LED聚廣恒光纖激光打標(biāo)機剝離技術(shù)大大減少了LED加工時間，降了生產(chǎn)成本，使制造商在藍(lán)寶石晶圓上生長氮化鎵LED薄膜器件，并使薄膜器件與熱沉進行電互連。這個工藝使得氮化鎵薄膜可以立于支撐物，并且氮化鎵LED可以集成到任基板上。
