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東芝電子元件及存儲裝置株式會社面向繼電器驅動器推出小型雙MOSFET

發布日期：2018-01-31 華人噴碼網來源：美國商業資訊

核心提示東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布推出一款新的MOSFETSSM6N357R，該產品在漏極和柵極端子之間設計有內置二極管。該器件適用于驅動機械繼電器等電感負載。批量發貨即日啟動。此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞

東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM6N357R”，該產品在漏極和柵極端子之間設計有內置二極管。該器件適用于驅動機械繼電器等電感負載。批量發貨即日啟動。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/

SSM6N357R集成有下拉電阻器、串聯電阻器和穩壓二極管，有助于減少零部件數量并節省電路板空間。此外，由于該產品采用雙列直插式封裝（二合一），與采用兩個SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)單列直插式封裝產品的替代方案相比，其安裝面積減小42%。

SSM6N357R采用行業標準的TSOP6F級封裝，具備3.0V的低工作電壓并且通過了AEC-Q101認證，因此適合于汽車和許多其他應用。

應用場合

汽車應用的繼電器和螺線管控制
工業應用的繼電器和螺線管控制
辦公設備離合器控制

特點

節省電路板空間且元器件數量減少（實現了下拉電阻器、串聯電阻器和穩壓二極管的集成。）
3.0V的低工作電壓
雙列直插式封裝（二合一）
通過AEC-Q101認證


主要規格
(@T_a=25°C)
項目			特性
絕對最大額定值	漏源極電壓 V_DSS (V)		60
	柵源極電壓 V_GSS (V)		±12
	漏極電流 I_D (A)		0.65
電氣特性	漏源極導通電阻 R_DS(ON)最大值(m?)	\|V_GS\|=3.0V	2400
		\|V_GS\|=5.0V	1800
	柵極總電荷 Q_g典型值(nC)		1.5
	輸入電容 C_iss典型值(pF)		43
封裝	TSOP6F		2.9mm×2.8mm；t=0.8mm

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原文版本可在businesswire.com上查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/

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